消息稱臺(tái)積電2nm芯片生產(chǎn)良率達(dá)60%以上，有望明年量產(chǎn)
2024-12-09 08:42
12月9日，據(jù)外媒透露，臺(tái)積電計(jì)劃明年開(kāi)始量產(chǎn)2納米芯片，目前該公司已在位于新竹的臺(tái)積電工廠進(jìn)行試產(chǎn)，結(jié)果顯示其2nm制程的良率已達(dá)到60%以上。據(jù)介紹，臺(tái)積電的2nm工藝引入了一種新的晶體管結(jié)構(gòu)——環(huán)繞柵極（Gate-All-Around, GAA）。GAA晶體管通過(guò)垂直排列的水平納米片，在四個(gè)側(cè)面包圍通道，而前代的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）僅能覆蓋三面。GAA晶體管具有更低的漏電率和更高的驅(qū)動(dòng)電流，從而提升了性能。
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